差分振荡器
SiTime 提供一站式服务，满足所有差分振荡器需求，抖动低至 70 fs RMS。这些高性能振荡器非常适合光模块、网络、服务器、存储和电信应用，具有低抖动、出色的电源噪声 (PSNR) 和抗冲击、振动和 EMI 等环境危害的能力。
- 70 fs 抖动（典型值），符合行业标准，小尺寸封装，小至 2x1.6 毫米
- 1 MHz 至 725 MHz 之间的任意频率
- ±10 ppm 稳定性，在不断变化的环境条件下具有出色的动态性能
Products
MHz振荡器
SiTime 提供完整的 MEMS MHz 振荡器产品组合。这些器件提供石英振荡器所不具备的可配置功能，旨在实现更高的可靠性、更短的交货时间，并解决独特的时序问题，例如 EMI 和系统内可编程性。它们无需重新设计或更改电路板布局即可取代石英振荡器。
LVCMOS振荡器
SiTime 提供丰富的 LVCMOS 振荡器产品组合，适用于消费电子、工业、物联网和网络应用。这些器件可实现更小尺寸和更低功耗。此外，它们还提供各种符合行业标准的封装。
- 1 至 220 MHz，精度为小数点后 6 位
- 功耗低至 60 µA
- 更好的频率稳定性，精度高达±10 ppm
- 行业标准尺寸（2016、2520、3225、5032 和 7050）
- SOT23-5 引线封装，可实现更高的板级可靠性和可制造性
- FlexEdge™ 可配置上升/下降时间，转换率为 0.25 至 40 ns，可降低 EMI
高温振荡器
SiTime 的汽车级 (AEC-Q100) 和高温振荡器在 -55 °C 至 125 °C 的温度下可提供 ±20 ppm 的频率稳定性。与石英相比，它们的稳定性提高了两倍，可靠性提高了 20 倍，抗冲击和振动能力提高了 30 倍。
- 1 至 725 MHz，精度为小数点后 6 位
- 军用温度（-55 至 125 °C）、汽车温度（-40 至 125 °C）、扩展工业温度（-40 至 105 °C）
- 低振动灵敏度（g 灵敏度）为 0.1 ppb/g
- 抗冲击能力：50,000 g；抗振动能力：70 g
- 平均无故障时间 (MTBF) 22 亿小时
扩频振荡器
SiTime 的 EMI 抑制振荡器通过扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整来确保符合辐射标准。SiTime 的 Time Machine II 编程器支持这些振荡器，使工程师能够快速降低辐射水平，确保客户符合标准。
- 基频降低高达 17 dB，谐波降低高达 30 dB
- 扩散范围广：峰间扩散范围高达 4%
- FlexEdge™ 可配置上升/下降时间选项：0.25 ns 至 40 ns 转换率
压控振荡器
SiTime MEMS VCXO 为视频分发 (CMTS)、网络、电信和仪器仪表应用提供卓越的动态性能和最高的可靠性。这些器件经过精心设计，即使在冲击、振动、电源噪声和电磁干扰 (EMI) 等常见环境因素下，也能保持相同的相位噪声和频率调谐精度。它们使电缆头端和远程射频头 (RRH) 等设备能够在不受控制的环境中（例如无空调的地下室或屋顶）提供最高的性能、最佳的可靠性和最高的服务质量。
- 1 MHz 至 725 MHz 范围内任意频率，步长为 1 Hz
- ±15 ppm，在整个温度范围内（-40 至 +85°C）具有最佳动态稳定性
- 0.02 ps/mV 电源噪声抑制 (PSNR)，降低电源要求
- 最佳（0.1%）和最宽（±25 至 ±3200 ppm）拉动范围线性度，比石英好 50 倍
数控振荡器
SiTime 数控 MEMS 振荡器 (DCXO) 允许用户通过单线数字接口将输出频率调节至高达 ±150,000 ppm。这消除了传统 VCXO 设计中需要的外部 DAC。此外，它还能消除电压控制线上电路板噪声引起的频率偏移。
- 拉力范围选项宽，高达±150,000 ppm
- 调谐分辨率为 1 ppb
- 超低功耗、小布局（SiT3901）
- 频率范围广（高达 625 MHz）、电源电压（1.8 V；2.5 V 至 3.3 V）以及行业标准封装（1508、3225、5032 或 7050）
- LVCMOS 输出（SiT3907 和 SiT3901）和差分输出（SiT3921 和 SiT3922）