32 kHz 和 µPower振荡器

SiTime MEMS 32 kHz 解决方案非常适合替代可穿戴和移动应用中的传统石英体谐振器，因为空间和功率对于这些应用至关重要。

• 芯片级封装 (CSP)，布局小巧，仅为 1.2 mm2 (1.5 x 0.8 mm)
• 超低功耗，低至<1 μA
• 与 LVCMOS 输出相比，NanoDrive™ 可编程输出摆幅可最大程度降低功耗
• 1.2 V 操作针对稳压电源应用进行了优化，例如纽扣电池或超级电容电池备份
• 全包频率稳定性，温度范围内低至±50 ppm

SiTime 32 kHz TCXO 系列率先在 1.2 mm² 芯片级封装中提供 ±3 ppm 的稳定性。其典型核心供电电流低至 1 μA。这些 32 kHz TCXO 已在多个温度点进行工厂校准，以确保极其严格、全面的频率稳定性。

• SiT1552 TCXO 提供低至 0.99 μA 的电源电流，加上 NanoDrive™ 可编程输出，可进一步降低功耗
• SiT1566、SiT1567 和 SiT1580 TCXO 分别提供 2.5 ns、2.0 ns 和 1.8 ns 的低集成 RMS 相位抖动
• SiT1580 采用最新一代 EpiSeal® 技术，密封谐振器，使其不受所有小分子气体的影响，并免受外部大气元素的影响

SiT1534 和 SiT1569 是首批能够在 1.2 mm² 的布局内实现 1 Hz 至 462.5 kHz 频率范围的 µPower 振荡器。这些产品采用芯片级封装 (CSP)，与现有的 2.0 x 1.2 mm SMD石英封装相比，可将定时器件的布局减少高达 85%。与 XTAL 不同，SiT1534 振荡器输出可实现更大的元件布局灵活性，并无需外部负载电容，从而节省额外的元件数量和电路板空间。

• 工厂可编程，频率范围为 1 Hz 至 462.5 kHz
• 振荡器输出驱动多个负载并消除 XTAL
• 频率容差<±10 ppm
• 超低功耗振荡器：<1 µA
• 采用 1.2 mm2 (1.5 x 0.8 mm) CSP布局小巧

这些超小型、µPower、低频参考源具有灵活的频率，为可穿戴、移动和物联网应用提供了新的架构选择，这些应用对空间和功率至关重要。

• 世界上最小的振荡器布局：1.2 mm2 （1.5 x 0.8 mm）CSP
• 振荡器输出驱动多个负载并消除 XTAL
• 超低功耗：100 kHz 时 2.5 至 5.5 μA
• SiT1576 TCXO 提供 ±5 ppm 全包频率稳定性，可改善本地计时和系统功率
• SiT1581 振荡器采用最新一代 EpiSeal® 技术，密封谐振器，使其不受所有小分子气体的影响，并免受外部大气元素的影响

SiTime 的 µPower MEMS 振荡器专为可穿戴设备、物联网和移动应用而设计，这些应用对节省空间和功耗至关重要。与石英振荡器相比，我们的 µPower 振荡器功耗降低高达 90%，占用空间减少高达 80%。此外，它们还能支持石英无法支持的低频。

• 最小振荡器布局：1.2 mm2 （1.5 x 0.8 mm）CSP
• 低功耗：3 MHz 时有效功耗为 0.1 mW
• 振荡器输出驱动多个负载并消除 XTAL
• 对于数控 µPower 振荡器，请参阅SiT3901 DCXO